产品详细内容
产品型号: 63-7020-27
产品品牌: Infineon
功能
- Dual P Channel Power MOSFET, Infineon
- The Infineon dual power MOSFET integrates two HEXFETR devices to provide a space-saving, cost-effective switching solution for high component density designs where substrate space is paramount. Various packaging options are available, allowing designers to choose a dual P-channel configuration.
规格
- 数量:1袋 (25个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:8A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:32 mΩ
- 最大门限电压:2.4V
- 最小门限电压:1.3V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOIC
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:2W
- 每个芯片的元素数:2
- 代码号:130-0970
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型号: 63-5070-15
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