产品详细内容
产品型号: 63-7020-26
产品品牌: Infineon
功能
- P Channel Power MOSFET 30 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include a P channel device in a reed surface mount package and a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
规格
- 数量:1袋 (25个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:5.4 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:110 mΩ
- 最大门限电压:2.4V
- 最小门限电压:1.3V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOIC
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:2.5 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:130-0969
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