63-5153-31 安森美半导体FGA60N65SMDIGBT, 120 A 650 V,3针TO-3PN FGA60N65SMD
电子元件控制设备

63-5153-31 安森美半导体FGA60N65SMDIGBT, 120 A 650 V,3针TO-3PN FGA60N65SMD

型号: 63-5153-31
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-5153-31产品品牌: ON Semiconductor 功能 离散IGBT,飞兆半导体 […]

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产品详细内容

产品型号: 63-5153-31
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • 离散IGBT,飞兆半导体

规格

  • 数量:1件
  • 最大连续收集器电流:120 A
  • 最大收集器发射器电压:650 V
  • 最大栅极发射器电压:±20V
  • 最大功耗:600 W
  • 包类型:TO-3PN
  • 安装类型:通孔
  • 信道类型:N
  • 销数:3
  • 晶体管配置:单一
  • 长度:15.8mm
  • 宽度:5毫米
  • 高度:20.1mm
  • 尺寸:15.8 x 5 x 20.1 mm
  • 最低工作温度:-55°C
  • 代码号:864-8795

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