产品详细内容
产品型号: 63-5139-81
产品品牌: Infineon
功能
- N通道功率MOSFET30V,英飞凌。英飞凌的离散HEXFET®功率MOSFET系列包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准，降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1袋 (10个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:160 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:3.9 mΩ
- 最大门限电压:2.35V
- 最小门限电压:1.35V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:DPAK (TO-252)
- 安装类型:表面安装
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:135 W
- 最高工作温度:+175°C
- 代码号:830-3394
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