产品详细内容
产品型号: 63-5121-86
产品品牌: ON Semiconductor
功能
- 增强模式N沟道MOSFET,飞兆半导体。增强模场效应晶体管 (FET) 采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺被设计成最小化通态电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
规格
- 数量:1袋 (50个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:400毫安
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:3.5Ω
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包类型:TO-92
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- 最大功耗:625 mW
- 尺寸:4.7 x 3.93 x 4.7 mm
- 代码号:807-5184
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