63-5070-75 BUZ11-NR4941N沟道MOSFET, 30 A, 50 V,3引脚TO-220AB安森美半导体 BUZ11-NR4941
电子元件控制设备

63-5070-75 BUZ11-NR4941N沟道MOSFET, 30 A, 50 V,3引脚TO-220AB安森美半导体 BUZ11-NR4941

型号: 63-5070-75
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-5070-75产品品牌: ON Semiconductor 功能 增强模式N沟道MOSFET […]

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产品详细内容

产品型号: 63-5070-75
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • 增强模式N沟道MOSFET,飞兆半导体。增强模场效应晶体管 (FET) 采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺被设计成最小化通态电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

规格

  • 数量:1袋 (5个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:30 A
  • 最大漏源电压:50 V
  • 最大泄漏源电阻:40 mΩ
  • 最小门限电压:2.1V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 包装类型:TO-220AB
  • 安装类型:通孔
  • 销数:3
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:75 W
  • 每个芯片的元素数:1
  • 代码号:761-3515

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