63-5040-90 FDG6303N双N沟道MOSFET, 500 mA, 25 V,6针SOT-363 (SC-70) 安森美半导体 FDG6303N
电子元件控制设备

63-5040-90 FDG6303N双N沟道MOSFET, 500 mA, 25 V,6针SOT-363 (SC-70) 安森美半导体 FDG6303N

型号: 63-5040-90
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-5040-90产品品牌: ON Semiconductor 功能 增强模式双MOSFET,飞 […]

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产品详细内容

产品型号: 63-5040-90
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • 增强模式双MOSFET,飞兆半导体。增强模态场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度的工艺被设计成最小化通状态电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

规格

  • 数量:1袋 (5个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:500毫安
  • 最大漏源电压:25 V
  • 最大泄漏源电阻:770 mΩ
  • 最小门限电压:0.65V
  • 最大栅源电压:+8V
  • 封装类型:SOT-363 (SC-70)
  • 安装类型:表面安装
  • 销数:6
  • 通道模式:增强
  • Category:小信号
  • 最大功耗:300 mW
  • 典型的关机延迟时间:17 ns
  • 代码号:739-0189

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