63-4936-86 FQP27P06P沟道MOSFET, 27 A, 60 V QFET,3-PinTO-220AB安森美半导体 FQP27P06
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63-4936-86 FQP27P06P沟道MOSFET, 27 A, 60 V QFET,3-PinTO-220AB安森美半导体 FQP27P06

型号: 63-4936-86
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-4936-86产品品牌: ON Semiconductor 功能 QFET®P-通道MOSF […]

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产品型号: 63-4936-86
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • QFET®P-通道MOSFET,飞兆半导体。飞兆半导体的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术,可为各种应用提供一流的操作性能,包括电源、PFC (功率因数校正) 、DC-DC转换器、等离子显示面板 (PDP) 、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS (on) ) 降低导通状态损耗,并通过降低栅电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 降低开关损耗。通过采用先进的QFET®工艺技术,飞兆半导体可以提供比竞争平面MOSFET器件更好的性能指标 (FOM) 。

规格

  • 数量:1袋 (5个)
  • 频道类型:P
  • 最大持续降水电流:27 A
  • 最大漏源电压:60 V
  • 最大泄漏源电阻:70 mΩ
  • 最大门限电压:4V
  • 最小门限电压:2V
  • 最大栅源电压:-25 V,+25 V
  • 包装类型:TO-220AB
  • 安装类型:通孔
  • 销数:3
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:120 W
  • 最低工作温度:-55°C
  • 代码号:671-5064

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