63-4936-38 NDT3055LN沟道MOSFET,4A, 60 V,3+TabPinSOT-223安森美半导体 NDT3055L
电子元件控制设备

63-4936-38 NDT3055LN沟道MOSFET,4A, 60 V,3+TabPinSOT-223安森美半导体 NDT3055L

型号: 63-4936-38
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-4936-38产品品牌: ON Semiconductor 功能 增强模式N沟道MOSFET […]

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产品详细内容

产品型号: 63-4936-38
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • 增强模式N沟道MOSFET,飞兆半导体。增强模场效应晶体管 (FET) 采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺被设计成最小化通状态电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

规格

  • 数量:1袋 (5个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:4A
  • 最大漏源电压:60 V
  • 最大泄漏源电阻:100 mΩ
  • 最小门限电压:1V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:SOT-223
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:3W
  • 典型的关机延迟时间:20 ns
  • 代码号:671-1090