63-4936-06 FDS4897C双N/P通道MOSFET, 4.4 A, 6.2 A, 40 V PowerTrench,8针SOIC安森美半导体 FDS4897C
电子元件控制设备

63-4936-06 FDS4897C双N/P通道MOSFET, 4.4 A, 6.2 A, 40 V PowerTrench,8针SOIC安森美半导体 FDS4897C

型号: 63-4936-06
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-4936-06产品品牌: ON Semiconductor 功能 PowerTrench®双 […]

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产品型号: 63-4936-06
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • PowerTrench®双N/P通道MOSFET,飞兆半导体。PowerTrench®MOSFET是优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们将小栅极电荷 (Qg) 、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软反向恢复体二极管相结合,有助于快速切换交直流电源中的同步整流。最新的PowerTrench®MOSFET采用屏蔽栅极结构,提供电荷平衡。利用这种先进技术,这些器件的FOM (功率图) 明显低于上一代器件。PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除怠速电路或更换更高电压等级的MOSFET。

规格

  • 数量:1袋 (5个)
  • 频道类型:N, P
  • 最大持续降水:4.4 A, 6.2 A
  • 最大漏源电压:40 V
  • 最大泄漏源电阻:29 mΩ,46 mΩ
  • 最小门限电压:1V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:SOIC
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:隔离
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:2W
  • 典型关断延迟时间:23 ns, 45 ns
  • 代码号:671-0539

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