63-4935-98 FDN359BNN沟道MOSFET, 2.7 A, 30 V PowerTrench,3引脚SOT-23安森美半导体 FDN359BN
电子元件控制设备

63-4935-98 FDN359BNN沟道MOSFET, 2.7 A, 30 V PowerTrench,3引脚SOT-23安森美半导体 FDN359BN

型号: 63-4935-98
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-4935-98产品品牌: ON Semiconductor 功能 PowerTrench®N […]

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产品详细内容

产品型号: 63-4935-98
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • PowerTrench®N-ChannelMOSFET,高达9.9A,飞兆半导体

规格

  • 数量:1袋 (5个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:2.7 A
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大泄漏源电阻:46 mΩ
  • 最大门限电压:3V
  • 最小门限电压:1V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:SOT-23
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:500 mW
  • 典型输入电容@Vds:485 pF@15 V
  • 代码号:671-0453

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