63-4935-97 FDN352APP通道MOSFET, 1.3 A, 30 V电源沟槽,3针SOT-23安森美半导体 FDN352AP
电子元件控制设备

63-4935-97 FDN352APP通道MOSFET, 1.3 A, 30 V电源沟槽,3针SOT-23安森美半导体 FDN352AP

型号: 63-4935-97
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-4935-97产品品牌: ON Semiconductor 功能 PowerTrench®P […]

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产品详细内容

产品型号: 63-4935-97
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • PowerTrench®P-ChannelMOSFET,飞兆半导体。PowerTrench®MOSFET是优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们将小栅极电荷 (Qg) 、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软反向恢复体二极管相结合,有助于快速切换交直流电源中的同步整流。最新的PowerTrench®MOSFET采用屏蔽栅极结构,提供电荷平衡。利用这种先进技术,这些器件的FOM (功率图) 明显低于前几代器件。PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除短路或更换更高电压等级的MOSFET。

规格

  • 数量:1袋 (10个)
  • 频道类型:P
  • 最大持续降水电流:1.3 A
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大泄漏源电阻:180 mΩ
  • 最小门限电压:0.8V
  • 最大栅源电压:-25 V,+25 V
  • 封装类型:SOT-23
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:500 mW
  • 典型的关机延迟时间:10 ns
  • 代码号:671-0447

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