63-4935-86 FDB3632N沟道MOSFET, 12 A, 100 V PowerTrench,3针D2PAK安森美半导体 FDB3632
电子元件控制设备

63-4935-86 FDB3632N沟道MOSFET, 12 A, 100 V PowerTrench,3针D2PAK安森美半导体 FDB3632

型号: 63-4935-86
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-4935-86产品品牌: ON Semiconductor 功能 汽车N沟道MOSFET,飞 […]

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产品详细内容

产品型号: 63-4935-86
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • 汽车N沟道MOSFET,飞兆半导体。飞兆半导体提供解决方案,以解决汽车市场的复杂挑战与全面的质量,安全和可靠性标准。

规格

  • 数量:1件
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:12 A
  • 最大漏源电压:100 V
  • 最大泄漏源电阻:9mΩ
  • 最小门限电压:2V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 包类型:D2PAK (TO-263)
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:310 W
  • 典型的关机延迟时间:96 ns
  • 代码号:671-0334

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