产品详细内容
产品型号: 63-4869-08
产品品牌: Infineon
功能
- N通道功率MOSFET60V至80V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素,可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:55 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:17 mΩ
- 最大门限电压:4V
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包装类型:TO-220AB
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:115 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:543-0939
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