63-4771-18 BSP149H6327XTSA1 N沟道MOSFET, 660 mA, 200 V耗损SIPMOS,3+Tab-PinSOT-223英飞凌 BSP149H6327XTSA1
电子元件控制设备

63-4771-18 BSP149H6327XTSA1 N沟道MOSFET, 660 mA, 200 V耗损SIPMOS,3+Tab-PinSOT-223英飞凌 BSP149H6327XTSA1

型号: 63-4771-18
品牌: Infineon

产品描述

产品型号: 63-4771-18产品品牌: Infineon 功能 英飞凌SIPMOS®N-ChannelMO […]

联系我们

咨询热线

18866622123

微信咨询

微信号: AHY97319570

微信二维码

产品详细内容

产品型号: 63-4771-18
产品品牌: Infineon

功能

  • 英飞凌SIPMOS®N-ChannelMOSFET

规格

  • 数量:1件
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:660毫安
  • 最大漏源电压:200 V
  • 最大泄漏源电阻:1.8Ω
  • 最大门限电压:1V
  • 最小门限电压:2.1V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:SOT-223
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:消耗
  • Category:小信号
  • 最大功耗:1.8 W
  • 典型周转延迟时间:5.1 ns
  • 代码号:354-5720

相关产品推荐

您可能还对以下产品感兴趣