63-6990-75 IXFN360N15T2N沟道MOSFET, 310 A, 150 V GigaMOS TrenchT2 HiperFET,4-PinSOT-227IXYS IXFN360N15T2
电子元件控制设备

63-6990-75 IXFN360N15T2N沟道MOSFET, 310 A, 150 V GigaMOS TrenchT2 HiperFET,4-PinSOT-227IXYS IXFN360N15T2

型号: 63-6990-75
品牌: IXYS

产品描述

产品型号: 63-6990-75产品品牌: IXYS 功能 N-Channel Power MOSFET, I […]

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产品详细内容

产品型号: 63-6990-75
产品品牌: IXYS

功能

  • N-Channel Power MOSFET, IXYS HiperFET GigaMOS Series

规格

  • 数量:1件
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:310 A
  • 最大漏源电压:150 V
  • 最大泄漏源电阻:4mΩ
  • 最大门限电压:5V
  • 最小门限电压:2.5V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:SOT-227
  • 安装类型:表面安装
  • 销数:4
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功率消耗:1.07 kW
  • 每个芯片的元素数:1
  • 代码号:125-8042