63-5126-52 Si2338DS-T1-GE3N通道MOSFET,6A, 30 V,3PinSOT-23Vishay Si2338DS-T1-GE3
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63-5126-52 Si2338DS-T1-GE3N通道MOSFET,6A, 30 V,3PinSOT-23Vishay Si2338DS-T1-GE3

型号: 63-5126-52
品牌: Vishay

产品描述

产品型号: 63-5126-52产品品牌: Vishay 功能 N沟道MOSFET,30V至50V, Vish […]

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产品详细内容

产品型号: 63-5126-52
产品品牌: Vishay

功能

  • N沟道MOSFET,30V至50V, Vishay半导体

规格

  • 数量:1袋 (20个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:6A
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大泄漏源电阻:33 mΩ
  • 最小门限电压:1.2V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:SOT-23
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:2.5 W
  • 最高工作温度:+150°C
  • 代码号:812-3126

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