63-5069-82 FDD86102N沟道MOSFET, 36 A, 100 V PowerTrench,3针DPAK安森美半导体 FDD86102
电子元件控制设备

63-5069-82 FDD86102N沟道MOSFET, 36 A, 100 V PowerTrench,3针DPAK安森美半导体 FDD86102

型号: 63-5069-82
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-5069-82产品品牌: ON Semiconductor 功能 飞兆半导体的PowerTr […]

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产品详细内容

产品型号: 63-5069-82
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • 飞兆半导体的PowerTrench®N沟道MOSFET,20A至59.9A

规格

  • 数量:1袋 (2个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:36 A
  • 最大漏源电压:100 V
  • 最大泄漏源电阻:44 mΩ
  • 最小门限电压:2V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:DPAK (TO-252)
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:62 W
  • 典型的关机延迟时间:13.4 ns
  • 代码号:759-9471

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