产品详细内容
产品型号: 63-4993-13
产品品牌: Vishay
功能
- N沟道MOSFET,200V至250V, Vishay半导体
规格
- 数量:1袋 (5个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:30 A
- 最大漏源电压:200 V
- 最大泄漏源电阻:85 mΩ
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包类型:TO-247AC
- 安装类型:通孔
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:190 W
- 典型的关机延迟时间:70 ns
- 代码号:708-5156
相关产品推荐
您可能还对以下产品感兴趣
63-5119-92 半KSD2012GTUNPN晶体管,3 A, 60 V, 3针TO-220F KSD2012GTU
型号: 63-5119-92
品牌: ON Semiconductor
63-5129-77 Wurth 2 x 12 mH -30→+50%纳米晶体共模扼流,最大SRF:1 kHz→300 MHz,10AIdc, 2 x 15 mΩ 7448051012
型号: 63-5129-77
品牌: Wurth Elektronik
63-7333-97 Jaeger 12 Way电缆安装MIL规格圆形连接器插头,插座联系人,MIL-DTL-5015 5301 620 06
型号: 63-7333-97
品牌: Jaeger