产品详细内容
产品型号: 63-4866-65
产品品牌: Vishay
功能
- N沟道MOSFET,600V至1000V, Vishay半导体
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:9.2 A
- 最大漏源电压:600 V
- 最大泄漏源电阻:750 mΩ
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 包装类型:TO-220AB
- 安装类型:通孔
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:170 W
- 长度:10.41毫米
- 代码号:541-1922
相关产品推荐
您可能还对以下产品感兴趣
63-7524-78 TRACCOPOWER 10 12 12W隔离直流-直流换流孔,电压在9→36 V直流,电压输出±5V直流 TEN 12-2421
型号: 63-7524-78
品牌: TRACOPOWER
63-7002-89 凯美特100nF聚丙烯电容器PP 310 V ac, 630 V dc±20%通过孔R46系列 R463F310040M1M
型号: 63-7002-89
品牌: KEMET